解密16Gb MLC NAND閃存表象下的技術(shù)細節 作者： 時(shí)間：2012-05-28 來(lái)源：網(wǎng)絡(luò ) 加入技術(shù)交流群 掃碼加入和技術(shù)大咖面對面交流海量資料庫查詢(xún) 收藏 <a target='_blank'><img src='https://ad.eepw.com.cn/www/delivery/avw.php?zoneid=88&cb=INSERT_RANDOM_NUMBER_HERE&n=a635e61e' border='0' alt='' /></a> <a target='_blank'><img src='https://ad.eepw.com.cn/www/delivery/avw.php?zoneid=87&cb=INSERT_RANDOM_NUMBER_HERE&n=a576c0a2' border='0' alt='' /></a> 圖2：16Gbit閃存的多晶硅電容結構，圖中顯示了低位板接頭。IMFT的4G、16Gbit NAND閃存圖3：IMFT的16Gbit MLC閃存的金屬層2和層3采用銅雙鑲嵌工藝，金屬層1采用鎢雙鑲嵌工藝 上一頁(yè) 1 2 下一頁(yè)
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