三星成DRAM合約價(jià)增長(cháng)推手

　　DRAM合約價(jià)再度喊漲成功，雖然5月上半漲幅僅2~3%，但傳出三星電子(Samsung Electronics)成功將2GBDDR3模塊價(jià)格拉升至19美元，成為這次拉升合約價(jià)主要推手，次要因素則是近期傳出海力士(Hynix)和爾必達(Elpida)40納米制程良率不順和設計問(wèn)題，導致合約市場(chǎng)持續供給吃緊。不過(guò)，現貨市場(chǎng)需求卻再降溫，現貨和合約價(jià)格差距幅度逼近15%，是過(guò)去相當少見(jiàn)差距。

　　2011年以來(lái)DRAM合約和現貨市場(chǎng)價(jià)格背離現象愈益嚴重，自從日本311大地震后，合約市場(chǎng)供需更吃緊，但現貨市場(chǎng)需求持續低迷，隨著(zhù)5月DRAM合約再度成功調漲，2GBDDR3模塊價(jià)格平均為18.75美元，最高價(jià)來(lái)到19美元，換算2GbDDR3芯片為2.1美元，相較現貨價(jià)格僅1.8美元，價(jià)差約15%。

　　5月合約價(jià)成功調漲推手是三星，2GBDDR3模塊19美元高價(jià)，亦是三星祭出的價(jià)格，多數PCOEM廠(chǎng)都接受此價(jià)格，主因在于品牌DRAM大廠(chǎng)貨源吃緊。存儲器業(yè)者表示，DRAM廠(chǎng)進(jìn)入40納米制程后，技術(shù)門(mén)檻越來(lái)越難跨過(guò)，雖然這次爾必達被點(diǎn)名40納米良率不順，但不是良率真有多大問(wèn)題，而是無(wú)法達到過(guò)去制程高良率水平，而海力士40納米則被點(diǎn)名是設計問(wèn)題。

　　由于能供給PCOEM廠(chǎng)DRAM貨源大幅減少，加上日本強震后，PCOEM廠(chǎng)原本就擔心會(huì )有短缺問(wèn)題，且原本庫存用到4、5月左右，本來(lái)就預定是需要回補時(shí)候，偏偏此時(shí)遇到40納米技術(shù)障礙，使得合約價(jià)格有了推升誘因。

　　反觀(guān)現貨市場(chǎng)，下游客戶(hù)反應冷到極點(diǎn)，且過(guò)去現貨和合約價(jià)格有一個(gè)先動(dòng)，另一個(gè)都不會(huì )脫勾太久，但這次合約價(jià)一直往前沖，現貨價(jià)卻不動(dòng)如山，兩者價(jià)差已達15%，是過(guò)去少見(jiàn)情況。模塊廠(chǎng)指出，目前出廠(chǎng)的計算機都是內建4GB模塊起跳，消費者根本不需要再去零售市場(chǎng)買(mǎi)模塊升級，現貨市場(chǎng)萎縮可能會(huì )是常態(tài)，但DRAM廠(chǎng)生意則會(huì )持續加溫。

　　另外，原為現貨市場(chǎng)霸主的力晶退出第1線(xiàn)品牌銷(xiāo)售后，現貨市場(chǎng)光芒頓時(shí)失色許多，雖然由爾必達接手原本力晶業(yè)務(wù)，但目前現貨市場(chǎng)流通貨源相當有限，亦是價(jià)格無(wú)法提升因素之一。