臺積電推出智能手機/平板電腦芯片新工藝
臺積電在近日舉行的臺積電2011技術(shù)研討會(huì )上推出了業(yè)界首個(gè)專(zhuān)為智能手機、平板電腦芯片優(yōu)化的制程工藝。
本文引用地址:http://dyxdggzs.com/article/118430.htm臺積電研發(fā)部高級副總裁蔣尚義(Shang-Yi Chiang)表示,新制程技術(shù)隸屬于28納米工藝,名為28HPM(高性能移動(dòng)制程工藝),專(zhuān)為智能機、平板電腦及其相關(guān)產(chǎn)品的芯片設計。
臺積電新制程工藝可能是為蘋(píng)果產(chǎn)品而設計,此前有傳聞稱(chēng)臺積電將為蘋(píng)果代工下一代A5處理器芯片。除蘋(píng)果外,臺積電還可能將新工藝用于智能機和平板電腦領(lǐng)域的其他廠(chǎng)商產(chǎn)品,比如英偉達、高通。當被問(wèn)及28HPM工藝是否專(zhuān)為單一客戶(hù)而設計時(shí),蔣尚義表示新工藝適用于基于A(yíng)RM架構的處理器芯片。
臺積電目前擁有3種28納米制程工藝:第一種是基于硅氧化物柵層疊(gate-stack)技術(shù)的低功耗CLN28LP工藝;另外兩種則是基于第一代HKMG(high-k絕緣層+金屬柵極)工藝技術(shù),一個(gè)是低功耗CLN28HPL工藝,另外一種是高性能CLN28HP工藝。
蔣尚義稱(chēng),臺積電的HKMG技術(shù)已經(jīng)通過(guò)了完全可能性認證,并正向兩家客戶(hù)出貨晶圓原型品。他還否認了業(yè)界關(guān)于臺積電28納米技術(shù)延期的報道,蔣尚義說(shuō):“我們沒(méi)有耽誤任一客戶(hù)。”
在進(jìn)入20納米工藝之前,臺積電還將推出另外一種28納米工藝CLN28HPM。新工藝同樣基于第一代HKMG技術(shù),它可使得應用處理器和相關(guān)產(chǎn)品的主頻遠高于1.8GHz(功耗440毫瓦)。
和其它28納米工藝一樣,CLN28HPM核心電壓在0.9伏,可支持1.8伏、2.5伏的I/O電壓,將于今年四季度量產(chǎn)。臺積電還再次提到了此前宣布的幾種20納米制程,這包括CLN20G(20納米通用制程)和CLN20SOC,它們均基于臺積電HKMG制程,其中CLN20G定于 2012年第四季度試產(chǎn),而CLN20SOC則定于2013年第二季度試產(chǎn)。
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