三星電子擬推新1GB移動(dòng)DRAM

　　三星電子宣布，計劃推出裝有新寬I/O接口的1GB移動(dòng)DRAM，以應用于智能手機和平板電腦等移動(dòng)設備，將采用50納米級工藝技術(shù)，傳輸速度可達12.8GB/秒。

　　韓國三星電子(Samsung Electronics Co., Ltd.)2月21日宣布，這家先進(jìn)內存技術(shù)領(lǐng)域的全球龍頭企業(yè)正在開(kāi)發(fā)裝有寬I/O接口的1GB移動(dòng)DRAM(dynamic random access memory)，將使用50納米級工藝技術(shù)。新的寬I/O移動(dòng)DRAM將被用于移動(dòng)應用設備，諸如智能手機和平板電腦。

　　三星電子高級副總裁、存儲產(chǎn)品規劃與應用工程師Byungse So表示，“繼2010年開(kāi)發(fā)出4GB的LPDDR2 DRAM(低功耗DDR2 DRAM)后，裝有I/O接口的新款移動(dòng)DRAM解決方案將為高性能移動(dòng)產(chǎn)品的進(jìn)步做出重要貢獻。”他表示，“我們將繼續積極拓展高性能移動(dòng)存儲產(chǎn)品陣容，以進(jìn)一步推進(jìn)移動(dòng)產(chǎn)業(yè)的成長(cháng)。”

　　全新的1GB寬I/O移動(dòng)DRAM數據傳輸速度可達12.8GB/秒，相當于移動(dòng)DDR DRAM帶寬(1.6GB/秒)的八倍，LPDDR2 DRAM貸款(約達3.2GB/秒)的四倍，同時(shí)將減少大約87%的功耗。

　　為了提高數據傳輸，三星的寬I/O DRAM使用了512根引腳進(jìn)行數據輸入和輸出，相比之下，早期的移動(dòng)DRAM采用了最多32根引腳。如果計入發(fā)送指令和調節電源的引腳，則單一三星寬I/O DRAM計劃將配有大約1,200根引腳。

　　推出這一寬I/O DRAM之后，三星電子計劃在2013年內推出20納米級4GB寬I/O移動(dòng)DRAM。該公司最近在移動(dòng)DRAM領(lǐng)域取得的成就包括在2009年推出首個(gè) 50納米級LPDDR2 1GB DRAM，以及在2010年推出首個(gè)40納米級 2GB LPDDR2 DRAM。

　　三星將在2011的ISSCC (International Solid-State Circuits Conference)會(huì )議上呈現一份有關(guān)廣泛I/O DRAM技術(shù)的文件，此次大會(huì )將于從2月20日至24日在舊金山舉行。

　　根據iSuppli，到2014年，移動(dòng)DRAM占年度DRAM總出貨量的比例將從2010年的11.1%增加至約16.5%。